VitoGaN

VitoGaN offers improved efficiency over silicon, through lower gate charge, lower crossover loss, and smaller reverse recovery charge.

Loading
Top

VitoGaN

Drag and drop parameters to add, remove, and reorder.

  • RDS(ON) Max 3.3V(mΩ)
  • RDS(ON) Max 2.5V(mΩ)
  • RDS(ON) Max 1.8V(mΩ)
  • Qg Typ(nC)
  • Qgd Typ(nC)
  • Rth(JC) °C/W
  • Power Dissipation TA=25℃(W)
  • Power Dissipation TC=25℃(W)
  • MSL
  • HG-FREE
  • Part
  • Status
  • Type
  • Esd
  • Package
  • BVDSS[V]
  • VGS Max[±V]
  • VTH Typ[V]
  • RDS(ON) Max 10V(mΩ)
  • RDS(ON) Max 4.5V(mΩ)
  • ID(A)@25℃
Part
Esd
BVDSS[V]
1200 -200
VGS Max[±V]
100 -100
VTH Typ[V]
10 -10
ID(A)@25℃
300 -300
NEW
Cascode GaN
NO
TO-247
650
20
2.0
200.0
230.0
20.0
江苏十一选五走势图表 (*^▽^*)MG燃烧的慾望官网 福建快3开奖直播 点头称一尾中特王网址 上海天天彩什么号 元宝娱乐 (-^O^-)MG幸运生肖APP下载 白小姐旗袍a (★^O^★)MG呼噜噜爱上乡下玩法介绍 22选5复式开奖 海南4十1开奖 (*^▽^*)MG对决沙龙_正规平台 (★^O^★)MG顶级王牌-明星送彩金 全民好运彩 黄大仙三肖中特期期准许一刀 (★^O^★)MG剑的秘密首页 (^ω^)MG奇妙马戏团技巧介绍